老美格局Close，国产半导体迎风起

文章来源：头部科技
文丨俊俊

AI 人工智能时代，中美 “军备竞赛”已跃然纸上。

6 月 12 日消息，据知情人士爆料称，美国拜登政府正在考虑进一步限制中国获得用于人工智能(AI)的芯片技术，这次把目标锁定在了一种刚刚进入市场的，用于制造尖端芯片的全环栅极晶体管（Gate-all-around，GAA）新硬件技术。

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同时还有消息称，美国还将限制高带宽内存（HBM）技术的对华出口。

全环绕栅极 （GAA） 是一种晶体管架构。
为了克服FinFET的平面架构局限性，GAA 采用 FinFET 设计并将其侧向转动，使通道是水平，而不是垂直，以更复杂的3D架构方式堆栈，预计电流通道将全部四个侧面，而不是三个方向的栅极包围，从而减少漏电流。
由于包裹所有这些通道的形状，它被称为全环绕栅极（GAA）。
GAA晶体管技术如此被置于台面，主要是其能进一步提升晶体管密度，四面环绕栅极的环绕通道也可以更好地控制晶体管开关，同时支持晶体管缩放，具有更低的可变性、更高的性能和更低的功耗。
但该技术目前仅用于最尖端的工艺节点。

目前，只有三星在其 3nm 节点上生产了这项技术。
英特尔将在其 Intel 20A 节点中采用 GAA，台积电则计划在 2nm 制程上采用 GAA 技术。

三星专有的GAA FET“MBCFET”（出处：Samsung Semiconductor）
据三星称，MBCFET的推出有望“节省50%的功率，提高30%的性能，并减少45%的面积”
消息称，英伟达、英特尔、AMD等公司及其制造合作伙伴台积电、三星电子都希望在明年开始大规模生产采用GAA设计的半导体。

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